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          年產(chǎn) 1020 萬片半導(dǎo)體功率模塊使用陶板基板,清華大學(xué)重大科研項目落戶東臺高新區(qū)

            1 月 30 日,東臺高新區(qū)與無錫海古德新技術(shù)有限公司(簡稱“海古德”)成功簽約,高性能氮化鋁陶瓷材料項目正式落戶東臺高新區(qū)。

          年產(chǎn) 1020 萬片半導(dǎo)體功率模塊使用陶板基板,清華大學(xué)重大科研項目落戶東臺高新區(qū)

          圖源:東臺高新區(qū)

            據(jù)了解,該項目源于清華大學(xué)國家 863 科技成果轉(zhuǎn)化,由海古德投資建設(shè),項目投資 6 億元,占地約 80 畝,建設(shè)廠房面積約 7 萬平方米,新上六條流延線及排膠線,新購燒結(jié)爐、研磨機、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進(jìn)口設(shè)備,年產(chǎn)氮化鋁基板 720 萬片,氮化硅基板 300 萬片,可實現(xiàn)開票 10 億元。

            簽約前,東臺高新區(qū)和投資方研究審定了江蘇海古德新技術(shù)有限公司年產(chǎn) 1020 萬片半導(dǎo)體功率模塊使用陶板基板項目的規(guī)劃和建筑單體設(shè)計方案。

            東臺高新區(qū)消息顯示,海古德是一家擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、高科技專利技術(shù),集新型陶瓷材料及其電子元件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的現(xiàn)代化高新技術(shù)企業(yè)。核心產(chǎn)品高性能氮化鋁(AlN)陶瓷材料、氮化硅(Si3N4)陶瓷基板及其元器件,是國家強基工程關(guān)鍵領(lǐng)域的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

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