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          Intel EUV極紫外光刻設(shè)備進(jìn)廠:沖刺“4nm”工藝

            位于愛爾蘭萊克斯利普(Leixlip)、投資70億美元的Intel Fab 34晶圓廠迎來重要時刻:一臺光刻膠顯影設(shè)備(lithography resist track)緩緩進(jìn)入工廠,這也是該廠的第一臺巨型芯片制造工具。

            該設(shè)備來自Intel美國俄勒岡州工廠,搭乘飛機(jī)越過大西洋,來到了愛爾蘭。

          Intel EUV極紫外光刻設(shè)備進(jìn)廠:沖刺“4nm”工藝

            這臺設(shè)備將與EUV極紫外掃描儀搭檔,首先為硅晶圓覆上精密的涂層,然后進(jìn)入EUV掃描儀,進(jìn)行曝光,接著晶圓回到光刻設(shè)備,再進(jìn)行一系列的高精密光顯影、清理操作。

            一座典型的晶圓廠包含大約1200臺先進(jìn)制造設(shè)備,大部分價值都在百元美元級別。

            Intel Fab 34晶圓廠2019年動工建設(shè),計劃2023年正式投產(chǎn),將會把Intel在愛爾蘭的產(chǎn)能翻一番,并為未來生產(chǎn)Intel 4工藝鋪平道路——嚴(yán)格來說是Intel 7nm,但是官方重新命名,認(rèn)為它可以媲美行業(yè)4nm水平。

          Intel EUV極紫外光刻設(shè)備進(jìn)廠:沖刺“4nm”工藝
          Intel EUV極紫外光刻設(shè)備進(jìn)廠:沖刺“4nm”工藝

            Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工藝(10nm ESF),Meteor Lake 14代酷睿和代號Granite Rapids的下下代至強(qiáng)都將用上Intel 4工藝。

          Intel EUV極紫外光刻設(shè)備進(jìn)廠:沖刺“4nm”工藝

            官方透露,新工藝研發(fā)進(jìn)展順利,芯片測試已經(jīng)完美通過,SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規(guī)范,去年第二季度還早早完成了Meteor Lake計算單元模塊的流片。

            Intel現(xiàn)階段正在全球建設(shè)、升級晶圓廠,除了愛爾蘭還有美國本土的亞利桑那州、新墨西哥州、俄勒岡州,以及馬來西亞,投資上百億美元,很快還會宣布在歐洲、美國的更多晶圓廠建設(shè)計劃。

          Intel EUV極紫外光刻設(shè)備進(jìn)廠:沖刺“4nm”工藝

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