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          英特爾高性能DG2 獨(dú)顯曝光:采用臺(tái)積電7nm工藝,第二代Xe架構(gòu)

            1月20日消息 根據(jù)WCCFTECH的報(bào)道,英特爾將采用臺(tái)積電的7nm工藝打造DG2 高性能獨(dú)顯,升級(jí)為第二代Xe架構(gòu)。

          英特爾高性能DG2 獨(dú)顯曝光:采用臺(tái)積電7nm工藝,第二代Xe架構(gòu)

          ▲英特爾DG1顯卡測(cè)試原型

            在剛剛過去的CES 2020上,英特爾展示了Xe架構(gòu)的低功耗獨(dú)顯DG1,目前已經(jīng)分發(fā)給測(cè)試者。根據(jù)官方的演示,英特爾DG1可以流暢運(yùn)行《命運(yùn)2》。

            英特爾GDC 2020大會(huì)將于3月16日至3月20日舉行,屆時(shí)英特爾將會(huì)公布Xe顯卡的詳細(xì)信息。英特爾稱,本次GDC演講將詳細(xì)介紹即將推出的顯卡背后的硬件架構(gòu),揭示其結(jié)構(gòu)及其性能,解釋圖形工程師如何最好地利用新的Xe架構(gòu)。

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