JEDEC組織今天正式發(fā)布了新一代高帶寬內存HBM3的標準規(guī)范，編號JESD238。

　　HBM3標準繼續(xù)在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級，具體包括：

　　- 傳輸數據率在HBM2基礎上再次翻番，每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高帶寬可達819GB/s。

　　如果使用四顆，總帶寬就是3.2TB/s，六顆則可達4.8TB/s。

　　- 獨立通道數從8個翻番到16個，再加上虛擬通道(pseudo channel)，單顆支持32通道。

　　- 支持4/8/12-high TSV硅穿孔堆棧，未來會拓展到16-high——可以理解為4-16顆內部堆疊。

　　- 每個存儲層容量8/16/32Gb，單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。

　　- 支持平臺級RAS可靠性，集成ECC校驗糾錯，支持實時錯誤報告與透明度。

　　- 提升能效，主接口使用0.4V低擺幅調制，運行電壓降低至1.1V。

　　NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業(yè)都第一時間表達了對HBM3內存的支持。

　　早在去年8月，SK海力士就提前發(fā)布了首批HBM3產品，單顆容量16/24GB，12-high堆疊，帶寬初期819GB/s，最近更是提升到了896GB/s。

　　SK海力士首發(fā)的HBM3

　　HBM2e

特別提醒：本網信息來自于互聯(lián)網，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網有任何內容侵犯您的權益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內處理完畢。