JEDEC組織今天正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存HBM3的標準規(guī)范，編號JESD238。

　　HBM3標準繼續(xù)在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級，具體包括：

　　- 傳輸數(shù)據(jù)率在HBM2基礎(chǔ)上再次翻番，每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高帶寬可達819GB/s。

　　如果使用四顆，總帶寬就是3.2TB/s，六顆則可達4.8TB/s。

　　- 獨立通道數(shù)從8個翻番到16個，再加上虛擬通道(pseudo channel)，單顆支持32通道。

　　- 支持4/8/12-high TSV硅穿孔堆棧，未來會拓展到16-high——可以理解為4-16顆內(nèi)部堆疊。

　　- 每個存儲層容量8/16/32Gb，單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。

　　- 支持平臺級RAS可靠性，集成ECC校驗糾錯，支持實時錯誤報告與透明度。

　　- 提升能效，主接口使用0.4V低擺幅調(diào)制，運行電壓降低至1.1V。

　　NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業(yè)都第一時間表達了對HBM3內(nèi)存的支持。

　　早在去年8月，SK海力士就提前發(fā)布了首批HBM3產(chǎn)品，單顆容量16/24GB，12-high堆疊，帶寬初期819GB/s，最近更是提升到了896GB/s。

　　SK海力士首發(fā)的HBM3

　　HBM2e

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