1 月 12 日消息，根據(jù)外媒 techspot 報(bào)道，本月早些時(shí)候，英國(guó)蘭開(kāi)斯特大學(xué)物理與工程系的研究人員發(fā)表了一篇論文，詳細(xì)介紹了 UltraRAM“超高效存儲(chǔ)”技術(shù)近期取得的重要進(jìn)展。

　　這項(xiàng)技術(shù)的目標(biāo)是將非易失閃存 NAND、易失性?xún)?nèi)存 RAM 結(jié)合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。此前，英特爾 Optane 傲騰已經(jīng)做出了先行嘗試，量產(chǎn)了傲騰內(nèi)存產(chǎn)品，但是仍不足以完全替代 RAM。與此同時(shí)，三星也有 Z-NAND 技術(shù)，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也希望將 XL-FLASH 存儲(chǔ)應(yīng)用到消費(fèi)級(jí)或企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品中。

　　具體來(lái)看，UltraRAM 芯片的制造工藝，與 LED、激光器、光電晶體管等半導(dǎo)體元件相似。從結(jié)構(gòu)上看，這種存儲(chǔ)技術(shù)采用硅襯底，相比砷化鎵成本大幅降低。芯片具有復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)，中央的結(jié)構(gòu)還使用了氧化鋁進(jìn)行隔離。

　　科學(xué)家表示，UltraRAM 的制造成本比較低，其擁有很高的性?xún)r(jià)比。目前已經(jīng)制造出的測(cè)試用原型，可以保證數(shù)據(jù)能夠保存 1000 年，擦寫(xiě)次數(shù)可以超過(guò) 1000 萬(wàn)，幾乎不需要考慮耐久性。如果這種存儲(chǔ)芯片能夠?qū)崿F(xiàn)比肩傳統(tǒng) RAM 的速度的話，將會(huì)對(duì)行業(yè)產(chǎn)生重大影響。

　　制造過(guò)程圖解：

　　UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力學(xué)效應(yīng)，在施加電壓后，允許勢(shì)壘從不透明轉(zhuǎn)為透明。與 RAM 和 NAND 閃存使用的寫(xiě)入技術(shù)相比，UltraRAM 的寫(xiě)入過(guò)程非常節(jié)能，因此有助于提高移動(dòng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

　　蘭開(kāi)斯特大學(xué)的研究人員表示，他們需要進(jìn)一步改進(jìn)存儲(chǔ)單元的制造工藝，提高存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)技術(shù)有很大的潛力，可以消除傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)與專(zhuān)用內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)倪^(guò)程。

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