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          中國長城半導體激光隱形晶圓切割技術取得重大突破:由 100nm 提升至 50nm 達到業(yè)內最高

            9 月 29 日消息 半導體產(chǎn)業(yè)被稱為國家工業(yè)的明珠,現(xiàn)在國家和各大企業(yè)開始攻關半導體技術,而其中晶圓切割則是半導體封測工藝中不可或缺的關鍵工序。

            中國長城今日宣布,旗下鄭州軌道交通信息技術研究院聯(lián)合河南通用智能裝備有限公司,用一年時間完成了半導體激光隱形晶圓切割設備的技術迭代,分辨率由 100nm 提升至 50nm,達到行業(yè)內最高精度,實現(xiàn)了晶圓背切加工的功能,大幅提升芯片生產(chǎn)制造的質量、效率、效益。

          中國長城半導體激光隱形晶圓切割技術取得重大突破:由 100nm 提升至 50nm 達到業(yè)內最高

            此外,他們還宣布將持續(xù)優(yōu)化工藝,在原有切割硅材料的技術基礎上,實現(xiàn)了加工 CIS、RFID、碳化硅、氮化鎵等材料的技術突破,對進一步提高我國智能裝備制造能力具有里程碑式的意義。

            他們去年 5 月研制出了我國首臺半導體激光隱形晶圓切割機成功填補國內空白。這款切割機在關鍵性能參數(shù)上處于國際領先水平,標志著我國半導體激光隱形晶圓切割技術取得實質性重大突破,相關裝備依賴進口的局面被打破。

            據(jù)介紹,該裝備可廣泛應用于高能集成電路產(chǎn)品,包括 CPU 制造、圖像處理 IC、汽車電子、傳感器、新世代內存的制造,對解決我國半導體領域內高端智能裝備“卡脖子”問題起到顯著作用。

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