英國芯片設計公司 ARM 昨天宣布，它已經(jīng)和美國國防高級研究計劃局（DARPA）簽訂了為期三年的合作協(xié)議，這一進展與美國最近將半導體制造引入其國內的努力相一致。在宣布這一消息的同時，該機構結束了與電子復興計劃(ERI)相關的活動，該計劃的重點是減少對國際制造的半導體的依賴。

　　根據(jù)合作關系，ARM 公司的所有商業(yè)芯片設計架構和知識產(chǎn)權都可用于 DARPA 項目。二者還將在依靠低功耗使用的傳感器等工作上進行合作，以實現(xiàn)持續(xù)監(jiān)測。在昨天召開的 ERI 峰會上，ARM 首席執(zhí)行官 Simon Segars 重點討論了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)范疇的設備，以及這些設備與下一代 5G 網(wǎng)絡的連接。

　　ERI是一個有兩年歷史的項目，它是在政府關注芯片設計和創(chuàng)新資源向國外轉移之后設立的，它的目的是將產(chǎn)業(yè)界和學術界的合作伙伴聚集在一起，促進微電子產(chǎn)業(yè)的四個關鍵領域。這些領域包括開發(fā)用于芯片制造的新材料、通過通硅孔垂直整合多個器件、創(chuàng)建芯片的定制應用以及確保芯片安全和設計的最新知識。

　　ARM 和 DARPA 還針對屬于近零功率射頻和傳感器操作(N-Zero)計劃的傳感器進行合作。通過該計劃，ARM 將為 1000 名 DARPA 員工提供訪問其知識產(chǎn)權的機會。N-Zero 計劃專門用于軍事用途的產(chǎn)品，它的目標是開發(fā)能夠在低功耗狀態(tài)下檢測光、聲音和運動并長期保持休眠狀態(tài)的傳感器。

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