分別是：1、截止區(qū)，指晶體管輸出特性曲線中晶體管輸入電流為0所對應(yīng)曲線下方的區(qū)域；2、放大區(qū)，指晶體管輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應(yīng)的區(qū)域；3、飽和區(qū)，指集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正偏，集電極電流不受基極電流控制的區(qū)域。

本教程操作環(huán)境：windows7系統(tǒng)、Dell G3電腦。

晶體管輸出特性曲線主要包括3個區(qū)域：截止區(qū)，放大區(qū)，飽和區(qū)。3個區(qū)域表示晶體管不同的工作狀態(tài)。下面根據(jù)3個區(qū)域分別介紹晶體管的輸出特性。

截止區(qū)

晶體管截止區(qū)是指晶體管輸出特性曲線中晶體管輸入電流為0所對應(yīng)曲線下方的區(qū)域。對于共射接法的晶體管，截止區(qū)是指晶體管輸出特性曲線中Ib=0曲線下方的區(qū)域，而Ib=0是因為Vbe<Von，即基射電壓低于死區(qū)電壓，故也可將截止區(qū)定義為Vbe<Von的區(qū)域。

在截止區(qū)內(nèi)，基極電流Ib=0，集電極電流Ic≤Icbo，幾乎等于0，僅有極微小的反向穿透電流Iceo流過，硅三極管的Iceo通常都在1μA以下。事實上，應(yīng)該把Ie=0，即Ic≤Icbo的區(qū)域叫做截止區(qū)。此時，集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。

放大區(qū)

晶體管放大區(qū)是指晶體管輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應(yīng)的區(qū)域。這表明，在集射電壓U(CE)一定的范圍內(nèi)，集電極電流I(C)與U(CE)無關(guān)，只取決于I(B)的值。根據(jù)這一特性，可實現(xiàn)利用I(B)的變化去線性地控制I(C)的變化，從而實現(xiàn)電流的線性放大，故放大區(qū)也成為線性區(qū)。此時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，I(C)=β·I(B) , 且△I(C) =β·△I(B)。

飽和區(qū)

晶體管飽和區(qū)是指集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正偏，集電極電流不受基極電流控制的區(qū)域，也稱飽和工作區(qū)。對于共射接法晶體管，飽和區(qū)是I(B)>0和U(CE)<0.7V的區(qū)域。

當(dāng)U(CE)<0.7V時，U(CB)=U(CE)<U(BE)，集電結(jié)正偏，若U(CE)很小（如0.1V~0.3V），即使I(B)增大，I(C)也很少增加，即集電結(jié)吸引來自發(fā)射區(qū)多子的能力大大下降，已經(jīng)“飽和”了。也可以用曲線U(CE)=U(BE)作為飽和區(qū)和放大區(qū)的分界線。

綜上，晶體管在飽和區(qū)內(nèi)工作時的主要特點有：

（1）集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正偏；

（2）I(C)取值與U(CE)有很大關(guān)系，I(C)隨U(CE)的增大而增大；

（3）I(C)取值與I(B)不成比例，線性放大無法實現(xiàn)；

（4）晶體管沒有放大作用，集電極和發(fā)射極相當(dāng)于短路，可與截止區(qū)配合，用于開關(guān)電路。