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          瀾起科技 DDR5 第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

            10 月 29 日消息,瀾起科技宣布 DDR5 第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是 DDR5 內(nèi)存模組的重要組件,包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器 (DB)、串行檢測(cè)集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC),可為 DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM 等內(nèi)存模組提供整體解決方案。

          瀾起科技 DDR5 第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

            瀾起科技專注于研發(fā)內(nèi)存接口技術(shù),這次推出的 DDR5 第一子代內(nèi)存接口芯片 RCD/DB,支持的最高速率達(dá) 4800Mbps,是 DDR4 最高速率的 1.5 倍;接口電壓低至 1.1V,能耗更低;采用創(chuàng)新的信號(hào)校準(zhǔn)協(xié)議及均衡技術(shù),大幅提高了內(nèi)存信號(hào)完整性。

            與 DDR4 內(nèi)存模組相比,DDR5 內(nèi)存模組在架構(gòu)上進(jìn)行了革新,除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外,還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技首次推出了 DDR5 PMIC、TS 及 SPD Hub 這三款配套芯片,可為 DDR5 內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點(diǎn)溫度檢測(cè)、I3C 串行總線及路由等輔助功能。

            這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起,共同助力 DDR5 內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實(shí)現(xiàn)全面提升,滿足新一代服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)及便攜式電腦對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。

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