5 月 12 日消息，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)開發(fā)了用于碳化硅(SiC)功率模塊的封裝技術(shù)，能夠使產(chǎn)品的可靠性提升一倍，同時(shí)減少 20% 的封裝尺寸。

　　與硅相比，碳化硅可以實(shí)現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料。雖然目前主要應(yīng)用于火車的逆變器上，但是很快將被廣泛用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和汽車設(shè)備等高壓應(yīng)用。

　　通過銀燒結(jié)技術(shù)改善提高可靠性

　　可靠性是碳化硅器件使用受限的主要問題。在高壓功率模塊中的應(yīng)用不僅是半導(dǎo)體芯片，封裝本身也必須具備高度的可靠性。東芝通過一種全新的銀(Ag)燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行芯片焊接，來實(shí)現(xiàn)有效提高封裝可靠性的目標(biāo)。

　　在當(dāng)前的碳化硅封裝中，功率密度提高以及開關(guān)頻率都會(huì)導(dǎo)致焊接性能劣化，很難抑制芯片中隨著時(shí)間的推移而增加的導(dǎo)通電阻。銀燒結(jié)技術(shù)可以顯著降低這種退化。而銀燒結(jié)層的熱電阻僅為焊接層的一半，從而使模塊中的芯片可以更加緊密地靠近，從而縮小了尺寸。

　　碳化硅功率模塊的新封裝（iXPLV）

　　東芝將此新技術(shù)命名為 iXPLV，并從本月底起其將應(yīng)用于 3.3kV 級(jí)碳化硅功率模塊的批量生產(chǎn)。

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