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          12nm玩出花 臺積電宣布N12e制程工藝:同頻性能提升49%

          在臺積電第26屆技術(shù)研討會上,臺積電不僅確認(rèn)5nm、6nm已在量產(chǎn)中,3nm、4nm明年試產(chǎn)后年量產(chǎn)外,也將老邁的12nm進(jìn)行了全新升級。

          新制程工藝節(jié)點名為N12e,綠色LOGO極為醒目,突出的就是其在能耗上的極佳表現(xiàn)。

          具體來說,N12e要取代的是22ULL,可帶來76%的邏輯密度提升,給定功耗下49%的頻率提升、給定性能下55%的功耗減少以及SRAM尺寸50%的縮減。

          12nm玩出花 臺積電宣布N12e制程工藝:同頻性能提升49%

          N12e支持的Vdd電壓能夠做到0.4V,可以說完美適配IoT設(shè)備。事實上臺積電的規(guī)劃就是,面向5G處理器、基帶、無線耳機(jī)、智能手表、VR、可穿戴設(shè)備、入門級SoC等場景領(lǐng)域服務(wù)。

          參照臺積電今年二季度的營運報告,雖然7nm在營收上份額上已達(dá)36%,妥妥第一大印鈔機(jī),但16nm(12~16nm)還保有著18%的份額,是絕對的中堅,不可忽視。另外,第三大晶圓廠GF(格芯)退出10nm以下制程研發(fā)后,也是全力優(yōu)化12~14nm工藝,爭搶IoT、低功耗SoC市場的代工份額。

          說到臺積電12nm的忠實伙伴,NVIDIA絕對要提,從Volta一路走到當(dāng)下的Turing,可都是12nm加持,“忠心耿耿”。

          12nm玩出花 臺積電宣布N12e制程工藝:同頻性能提升49%

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