SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代HBM2E DRAM內(nèi)存/顯存芯片，距離去年8月首次提出這一規(guī)格只有10個月的時間。

SK海力士的HBM2E具備大容量、高速度、低功耗的特點，利用TSV硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆16Gb(2GB)芯片，從而做到單顆容量16GB，是上代HBM2的兩倍，理論上更是可以做到十二顆堆疊、單顆單顆容量24GB。

HBM2每個堆棧的數(shù)據(jù)率高達3.6Gbps(可理解為等效頻率3.6GHz)，搭配1024-bit I/O，帶寬可以輕松做到460GB/s，電壓則維持HBM2 1.2V的水平。

如果使用四顆組合，總?cè)萘烤褪?4GB，總位寬為4096-bit，總帶寬則超過1.8TB/s。

這樣的規(guī)格是GDDR6望塵莫及的。

SK海力士表示，HBM2E可廣泛應(yīng)用于工業(yè)4.0、高端GPU顯卡、高性能超級計算機、機器學(xué)習(xí)、AI人工智能等各種尖端領(lǐng)域。

在歷史上，SK海力士也是第一個搞定了HBM，并由AMD顯卡首發(fā)，最初搭載于R9 390X。

三星也在積極準(zhǔn)備HBM2E，美光則模糊地表示會在年底之前推出新一代HBM。