與NAND閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌不同，2018年內(nèi)存芯片價(jià)格依然居高不下，不同的是今年Q1、Q2季度內(nèi)存價(jià)格漲幅有所下降，漲價(jià)幅度只有5%左右，而Q3、Q4季度內(nèi)存價(jià)格普遍被看跌，主要是因?yàn)槭袌鲂枨蟛蛔?，尤其是是智能手機(jī)旺季不旺，而最近因?yàn)橛⑻貭?4nm產(chǎn)能不足導(dǎo)致PC市場需求雪上加霜，集邦科技認(rèn)為Q4季度內(nèi)存及閃存價(jià)格要比預(yù)期降價(jià)更多。對于內(nèi)存芯片需求不足可能導(dǎo)致內(nèi)存降價(jià)的消息，三星主管存儲芯片、代工等業(yè)務(wù)的CEO金奇男表示今年底內(nèi)存需求沒什么重大變化，2019年內(nèi)存芯片需求還會繼續(xù)強(qiáng)勢，從側(cè)面否認(rèn)了內(nèi)存芯片降價(jià)的可能。

　　韓國媒體報(bào)道稱，三星電子副總裁設(shè)備解決方案部門CEO金奇男日前出席公司活動(dòng)時(shí)接受了記者采訪，被問到內(nèi)存芯片需求下降的問題，他表示“至少今年Q4季度之前，內(nèi)存芯片市場需求不會有什么重大變化。”

　　那么2019年的內(nèi)存市場的強(qiáng)勁需求是否會結(jié)束呢?金奇男預(yù)測明年的內(nèi)存市場需求依然會很強(qiáng)勁。三星電子今年Q2季度芯片業(yè)務(wù)運(yùn)營利潤達(dá)到了102億美元，同比增長了44%。

　　在三星否認(rèn)內(nèi)存需求下降的同時(shí)，高盛銀行及Stifel Nicolaus等投行紛紛警告內(nèi)存芯片市場將會惡化到2019年，認(rèn)為DRAM內(nèi)存及NAND閃存內(nèi)存基本面成長疲軟，此舉導(dǎo)致美光股價(jià)連續(xù)下跌，本周內(nèi)股價(jià)下跌了12%。

　　為了應(yīng)對內(nèi)存及閃存芯片降價(jià)，之前Digitimes援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產(chǎn)能擴(kuò)容計(jì)劃，三星據(jù)傳暫停在了韓國華城和平澤工廠為1ynm工藝的DRAM芯片增加新的產(chǎn)能的計(jì)劃，原本三星計(jì)劃在Q3季度增加每月3萬片晶圓的產(chǎn)能。

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