美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。

美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計思路，不過美光與Intel使用多年的浮動?xùn)艠O(floating gate)換成了替換柵極(replacement gate)，以縮小尺寸、降低成本、提升性能，升級到下一代制造工藝也更容易。

這種新架構(gòu)是美光獨(dú)自研發(fā)的，并沒有Intel的幫助，雙方已經(jīng)越走越遠(yuǎn)。

不過，完成流片只是美光新閃存的一步嘗試，美光還沒有計劃將任何一條產(chǎn)品線轉(zhuǎn)向RG架構(gòu)，暫時也不會帶來真正的成本降低。

目前，美光的首要任務(wù)是擴(kuò)大96層3D閃存的產(chǎn)能，明年將其應(yīng)用到各條產(chǎn)品線。