固態(tài)硬盤(pán)有3個(gè)分類：1、基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)，采用FLASH芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)，其最大優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng)，而且數(shù)據(jù)保護(hù)不受電源控制，能適應(yīng)于各種環(huán)境，適合于個(gè)人用戶使用；2、基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)，采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)，提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PCI和FC接口用于連接主機(jī)或者服務(wù)器；3、基于3D XPoint的固態(tài)硬盤(pán)，讀取延時(shí)極低，并且有接近無(wú)限的存儲(chǔ)壽命。

本教程操作環(huán)境：windows7系統(tǒng)、Dell G3電腦。

固態(tài)硬盤(pán)（Solid State Disk或Solid State Drive，簡(jiǎn)稱SSD），又稱固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列制成的硬盤(pán)。

固態(tài)硬盤(pán)在接口的規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的完全相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上基本與普通硬盤(pán)一致（新興的U.2，M.2等形式的固態(tài)硬盤(pán)尺寸和外形與SATA機(jī)械硬盤(pán)完全不同）。

由于固態(tài)硬盤(pán)的技術(shù)與傳統(tǒng)硬盤(pán)的技術(shù)不同，所以產(chǎn)生了不少新興的存儲(chǔ)器廠商。廠商只需購(gòu)買NAND顆粒，再配適當(dāng)?shù)目刂菩酒?，編?xiě)主控制器代碼，就制造了固態(tài)硬盤(pán)。

新一代的固態(tài)硬盤(pán)普遍采用SATA-2接口、SATA-3接口、SAS接口、MSATA接口、PCI-E接口、M.2接口、CFast接口、SFF-8639接口和NVME/AHCI協(xié)議。

固態(tài)硬盤(pán)的分類

分類方式：

固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種，一種是采用閃存（FLASH芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì)，另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。最新還有英特爾的XPoint顆粒技術(shù)。

基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)：

基于閃存的固態(tài)硬盤(pán)（IDEFLASH DISK、Serial ATA Flash Disk）：采用FLASH芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)，這也是通常所說(shuō)的SSD。它的外觀可以被制作成多種模樣，例如：筆記本硬盤(pán)、微硬盤(pán)、存儲(chǔ)卡、U盤(pán)等樣式。這種SSD固態(tài)硬盤(pán)最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng)，而且數(shù)據(jù)保護(hù)不受電源控制，能適應(yīng)于各種環(huán)境，適合于個(gè)人用戶使用。壽命較長(zhǎng)，根據(jù)不同的閃存介質(zhì)有所不同。SLC閃存普遍達(dá)到上萬(wàn)次的PE，MLC可達(dá)到3000次以上，TLC也達(dá)到了1000次左右，最新的QLC也能確保300次的壽命，普通用戶一年的寫(xiě)入量不超過(guò)硬盤(pán)的50倍總尺寸，即便最廉價(jià)的QLC閃存，也能提供6年的寫(xiě)入壽命?？煽啃院芨?，高品質(zhì)的家用固態(tài)硬盤(pán)可輕松達(dá)到普通家用機(jī)械硬盤(pán)十分之一的故障率。

基于DRAM類：

基于DRAM的固態(tài)硬盤(pán)：采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)，應(yīng)用范圍較窄。它仿效傳統(tǒng)硬盤(pán)的設(shè)計(jì)，可被絕大部分操作系統(tǒng)的文件系統(tǒng)工具進(jìn)行卷設(shè)置和管理，并提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PCI和FC接口用于連接主機(jī)或者服務(wù)器。應(yīng)用方式可分為SSD硬盤(pán)和SSD硬盤(pán)陣列兩種。它是一種高性能的存儲(chǔ)器，理論上可以無(wú)限寫(xiě)入，美中不足的是需要獨(dú)立電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)安全。DRAM固態(tài)硬盤(pán)屬于比較非主流的設(shè)備。

基于3D XPoint類

基于3D XPoint的固態(tài)硬盤(pán)：原理上接近DRAM，但是屬于非易失存儲(chǔ)。讀取延時(shí)極低，可輕松達(dá)到現(xiàn)有固態(tài)硬盤(pán)的百分之一，并且有接近無(wú)限的存儲(chǔ)壽命。缺點(diǎn)是密度相對(duì)NAND較低，成本極高，多用于發(fā)燒級(jí)臺(tái)式機(jī)和數(shù)據(jù)中心。