據(jù) BusinessKorea 的報(bào)道，三星已經(jīng)設(shè)定了目標(biāo)，即在今年 6 月前完成 11 納米的第六代 1c DRAM 芯片的開發(fā)。據(jù)說該公司已經(jīng)要求其研究人員停止或跳過 1b DRAM 的開發(fā)，這是一種 12 納米芯片。

　　此前有消息稱，三星已經(jīng)中斷了 12-13nm 工藝級別內(nèi)存研發(fā)，表示三星 13nm 級別的內(nèi)存被間接承認(rèn)失敗。

　　報(bào)道稱，三星希望擴(kuò)大與競爭對手的技術(shù)差距，這些競爭對手包括 SK 海力士和美光科技。此外，這并不是三星第一次放棄 DRAM 的某些開發(fā)階段而向更高層次發(fā)展。此前，三星放棄了 28 納米 DRAM 的大規(guī)模生產(chǎn)，專注于生產(chǎn) 25 納米 DRAM。

　　業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，對三星來說，生產(chǎn) 11 納米 DRAM 并不是一件容易的事，因?yàn)檫@需要先進(jìn)的技術(shù)。然而，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星希望找到一種方法，該公司在 1c DRAM 完成之前面臨著巨大的開發(fā)壓力，因?yàn)槠湓?1a DRAM 的量產(chǎn)方面落后于其兩個競爭對手。

　　內(nèi)存工藝在 20nm 節(jié)點(diǎn)之后就有不同斷代方法，之前用的是 1x、1y、1z，后來又有了 1a、1b、1c 工藝，不過三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭的實(shí)際工藝也不完全是這樣，有時公布的還是數(shù)字 + nm 命名。

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