11 月 25 日消息 據(jù)彭博報(bào)道，臺(tái)積電將于 2022 年下半年開(kāi)始量產(chǎn) 3 納米芯片，單月產(chǎn)能 5.5 萬(wàn)片起。

　　報(bào)道援引臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音稱(chēng)，3納米芯片開(kāi)始量產(chǎn)時(shí)公司在臺(tái)南科學(xué)園的雇員數(shù)將達(dá)到約2萬(wàn)人，目前為1.5萬(wàn)人。

　　今年 8 月份，臺(tái)積電高級(jí)副總裁米玉杰表示，該公司有計(jì)劃繼續(xù)提供有意義的節(jié)點(diǎn)改進(jìn)，直到 N3 及以下。臺(tái)積電預(yù)計(jì) N3 將在 2022 年成為最新、最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。與 N5 相比，收益同樣不大，性能僅提升 1.1-1.15 倍，功耗提升 1.25-1.3 倍。這些增益是相對(duì)于 N5 而言的，而不是 N5P。與 7 納米相比，N3 在同樣的功率下，性能應(yīng)該提高 1.25 倍 – 1.35 倍，或者在同樣的性能下功耗降低 1.55 倍 – 1.6 倍。在這些比較中，你看到的所有倍數(shù)都是假設(shè)一個(gè)理想化的晶體管，并不一定符合 AMD、英特爾甚至英特爾實(shí)際制造的產(chǎn)品。

　　臺(tái)積電 N3 將繼續(xù)使用 FinFET 鰭式場(chǎng)效晶體管，而不是過(guò)渡到 GAA 環(huán)繞式結(jié)構(gòu)場(chǎng)效晶體管。這與三星不同，三星已經(jīng)表示要在 3 納米節(jié)點(diǎn)使用 GAA。

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